Продам транзисторыЕсть SMD элементы - спрашиваем в личкеВторая часть тут Третья часть тут в личкуТема обновляется C3909 (2SC3909) NPN SWI.POW.STA.900/800V-5A1шт 10 руб 2SB1340 транзистор PNP дарлингтон 120V 6A3 шт по 3 руб D1929 (2SD1929) транзистор NPN Darlington, Medium Power 2A18шт по 2 руб 3399 (2SC3399) Silicon NPN-transistor with integrated resistorS, Rb=Rbe=47kк, 50V, 0,1A, 250MHz1шт 40 коп КТ363Б p-n-p универсальныеfгр,МГц 1500 h21э 40...120 Iк макс, А 0.03 Uкбо макс, В 15 Uкэо макс, В 121шт по 40 коп КТ872А Структура NPNМакс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*: 5Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В 700Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А) 8Статический коэффициент передачи тока h21э мин 62шт по 3 руб B1375 Silicon PNP-transistorNF-L, 60V, 3A, 25W, 9MHz, B=100..3202шт по 2 руб C945 (2SC945) (LC945P) NPN-transistor (60В, 0.15А, 0.4Вт, 200Мгц, ТО-92)203 шт по 40 коп A1015 (2SA1015) PNP-transistor 50V, 0,15A, 0,4W, 80MHz41 шт по 60 коп K49 (2SK49) N-channel field effect transistorAM/FM, 20V, Idss=0,5..6mA, Up 750295шт по 1 руб МП11 Структура n-p-nМатериал германийUКЭmax (В) 25IКmax (А) 0.02 [0.15]2шт по 1 руб МП13 германиевые сплавные p-n-pIк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 мА;Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 15 В;1шт 1 руб MJE15030 Audio, NPN, 150 V, 30 MHz, 50 W, 8 A, 401шт 12 руб C3907 NPN 180V 12A2шт по 12 руб МП14 Транзисторы МП14 германиевые сплавные p-n-p универсальные низкочастотные маломощные2шт по 1руб МП15 Транзисторы МП15 германиевые сплавные p-n-p универсальные низкочастотные маломощные.6шт по 1руб МП16 МП16Б германиевые низкочастотные маломощные сплавные p-n-p переключательные.А - 3шт Б - 3шт по 1руб МП25 Транзисторы МП25 германиевые сплавные p-n-p универсальные низкочастотные.40V 0.15AА - 7шт, Б - 8шт по 60 коп МП26 Транзисторы МП26Б германиевые сплавные p-n-p универсальные низкочастотные.fгр,МГц 0.5 h21э 30...80 Iк макс, А 0.15 Uкэо макс, В 70ВП -1штА - 7штбез буквы - 3штБ - 3штПо 1руб МП42 германиевые сплавные p-n-p переключательные низкочастотные маломощные.А -7шт Б - 2шт без буквы - 2шт по 1 руб МП101 Транзисторы кремниевые сплавные n-p-n усилительные низкочастотныеfгр,МГц 0.5 h21э 15...45 Iк макс, А 0.02 Uкбо макс, В 15 Uкэо макс, В 20без буквы-1шт Б -2шт по 1руб МП104 Транзисторы МП104 кремниевые сплавные p-n-p усилительные низкочастотные60V 0.01A2шт по 60 коп ГТ108Г Структура p-n-pМаксимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 5 ВМаксимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 5 ВМаксимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 50 мАне желтый3шт по 60 коп МП114 Кремниевые биполярные сплавные p-n-pМакс. допустимое напряжение коллектор-база 60 VМакс. допустимое напряжение эммитер-база 10 VМакс. допустимый постоянный ток коллектора 0,5 A1шт 60 коп МП115 Структура p-n-pМакс. допустимое напряжение коллектор-база 30 VМакс. допустимое напряжение коллектор-эмиттер 30 VМакс. допустимое напряжение эммитер-база 10 VМакс. допустимый постоянный ток коллектора 10 mA7 шт по 1руб ГТ115А Транзисторы германиевые сплавные p-n-p маломощные.20V 30 мА4шт по 1 руб МП116 Транзисторы МП116 кремниевые сплавные p-n-p усилительные низкочастотныеМакс. допустимое напряжение коллектор-база 15 VМакс. допустимое напряжение эммитер-база 10 VМакс. допустимый постоянный ток коллектора 10 mA2шт по 1руб КТ201 Структура NPNIкmax(и), мА 20(100)Uкэо(и), В А,Б - 20 В,Г - 10А - 10шт, Б - 2шт, В - 1шт, Г - 1шт по 1 руб КТ203 PNPВ - 1 штБ - 4 шт, по 1 руб КТ209 PNPБ - 15V 0.3AИ - 45V 0.3AБ - 8шт , И - 2шт, Ж-9шт, Е-3шт, В-3шт, А-4шт, К-2шт Г-1шт по 1руб КП304А Транзисторы КП304А кремниевые диффузорно-планарные полевые с изолированным затвором и индуцированным каналом р-типа.си макс, А 0.03 Pси макс, Вт 0.2 Uси, В 251шт 1 руб ГТ308 (1Т30 Германиевый PNP ВЧ транзисторА - 6шт, Г - 1шт Б - 3шт В - 6шт по 1руб ГТ309 германиевый транзистор, p-n-pUКЭR max, В 10IК, max мА 10А - 2шт, В - 2шт по 1 руб 20 коп КП313 кремниевые диффузионно-планарные полевые с изолированным затвором и каналом n-типа.Б - 2шт по 1 руб КТ315Г NPN 330шт по 20 коп КТ317В Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n универсальные высокочастотные маломощные.Бескорпусные, с гибкими выводами, с защитным покрытием.21шт по 60 коп ГТ322 германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума.Б - 2шт по 60 коп КТ342 NPN silicon planar transistorБ - 1шт, В - 5шт по 60 коп КТ345 PNP silicon planar transistor intended as fast switchА - 2шт, Б - 1шт, В - 1шт, по 60 коп КТ605 NPN silicon high-voltage transistor for video applications. корпус тоАМ - 1шт, БМ - 5шт, по 1 руб КТ361 PNPМаксимально допустимое напряжение коллектор-эмиттерКТ361А - 25 ВКТ361Б - 20 ВКТ361В - 40 ВКТ361Г - 35 ВКТ361Д - 40 ВКТ361Е - 35 ВКТ361Ж - 10 ВКТ361И - 15 ВКТ361К - 60 ВМаксимально допустимый постоянный ток коллектор
